Конструктивно-технологические особенности субмикронных МОП-транзисторов. Г. Красников
979 руб
В книге рассмотрены особенности работы субмикронных МОП-транзисторов, описаны направления развития и ограничения применения методов масштабирования транзисторов, представлены требования к подзатворным диэлектрикам и технологии их формирования, различные конструкции сток-истоковых областей МОПТ и технологические процессы создания мелкозалегающих легированных слоев. Рассмотрены проблемы влияния масштабирования размеров элементов в субмикронную область и особенностей технологических процессов на надежность и долговечность субмикронных МОП-транзисторов. Представлены данные о влиянии технологических процессов изготовления субмикронных СБИС (процессов плазменной обработки, ионного легирования и технологических операций переноса изображения) на деградацию подзатворного диэлектрика, а значит - на уровень выхода, надежность и долговечность годных готовых изделий. Книга предназначена для специалистов в области проектирования и разработки технологии изготовления КМОП СБИС, а также для студентов старших курсов, аспирантов и преподавателей технических вузов.
Вес
1230
Ширина упаковки
170
Высота упаковки
30
Глубина упаковки
240
Автор
Геннадий Красников
Тип издания
Отдельное издание
Тип обложки
Твердый переплет
Тираж
1000
Произведение
Конструктивно-технологические особенности субмикронных МОП-транзисторов
» Каталог
» Книги » Нехудожественная литература » Научная и техническая литература » Техника. Технические науки » Радиоэлектроника, радиотехника, связь » Радиотехника