Нано-КМОП-схемы и проектирование на физическом уровне. Б. П. Вонг, А. Миттал, Ю. Цао, Г. Старр
689 руб
Книга содержит весьма актуальные сведения по особенностям современных технологий СБИС, уровня 130-90 нм, которые необходимо знать и учитывать при проектировании. Эти сведения изложены в первом разделе (главы 1-3). Во втором разделе (главы 4-9) описаны соответствующие приемы проектирования на физическом уровне для схем смешанного сигнала и аналоговых компонентов, схем памяти, методов снижения потребляемой мощности, схем ввода/вывода и защиты от электростатического разряда, целостности сигнала с учетом длинных межсоединений. В третьем разделе (главы 10-11) рассмотрены приемы проектирования, обеспечивающие повышение выхода годных и учет вариаций технологического процесса. Следует заметить, что до появления этой книги системного и собранного в одну книгу пособия для разработчиков современных СБИС на транзисторном уровне просто не было. Книга будет весьма полезна не только конструкторам, но и инженерам-технологам, осуществляющим разработку новых технологий и соответствующих правил проектирования.
Вес
720
Ширина упаковки
245
Высота упаковки
20
Глубина упаковки
175
Автор
Б. П. Вонг,А. Миттал,Ю. Цао,Г. Старр
Тип издания
Отдельное издание
Тип обложки
Мягкая обложка
Тираж
1000
Произведение
Нано-КМОП-схемы и проектирование на физическом уровне
» Каталог
» Книги » Нехудожественная литература » Научная и техническая литература » Техника. Технические науки » Радиоэлектроника, радиотехника, связь » Микроэлектроника, интегральные схемы