Монографический сборник представляет теоретические и экспериментальные результаты, полученные сотрудниками Института в области физики, моделирования и технологий передовых нанотранзисторных структур для логических интефальных схем (УБИС). наноструктур для твердотельных генераторов терагерцового диапазона частот. Представлены исследования ключевых технологических процессов изготовления таких приборов с критическими размерами 11-32 нм: электронно-лучевой литографии, плазменного нано-структурирования, атомно-слоевого осаждения диэлектриков и металлов. Приводятся результаты в области микроструктурирования пористых low-k диэлектриков для систем многоуровневой металлизации. Большинство исследований проведено в рамках Программы ФНИ ФАНО России. Для специалистов в области микро- и наноэлектроники, аспирантов и студентов старших курсов соответствующих специальностей.