Электронные свойства дислокации в полупроводниках. В. Тимофеев,С. Шевченко,Юрий Осипьян,С. Бредихин,В. Кведер,Н. Классен,В. Негрий,Виктор Петренко,И. Смирнова,С. Шмурак,Э. Штейнман
749 руб
Данную книгу можно считать первым в мировой практике изданием, в котором на современном уровне представлены электронные свойства дислокации в полупроводниках Ge и Si и в полупроводниковых соединениях A2B6. Книга выполнена в виде нескольких обзорныхстатей, написанных академиком Ю.А.Осипьяном совместно с его учениками, являющимися ведущими специалистами в области физики дислокации в полупроводниках. В книге проведено систематическое изложение современных данных по влиянию дислокации на электронный энергетический спектр, электрические и оптические характеристики полупроводников. Подробно рассмотрено взаимодействие дислокации с другими дефектами и примесями. Книга предназначена для научных сотрудников и инженеров, специализирующихся вобласти физики твердого тела, а также для преподавателей, аспирантов и студентов соответствующих специальностей.
Вес
435
Ширина упаковки
155
Высота упаковки
20
Глубина упаковки
225
Тип издания
Отдельное издание
Тип обложки
Твердый переплет
Тираж
1000
Публикации
Об авторе,Электронные свойства дислокации в полупроводниках
» Каталог
» Книги » Нехудожественная литература » Научная и техническая литература » Естественные науки » Физико-математические науки » Физика » Физика твердого тела. Кристаллография