Технология, конструкции и методы моделирования кремниевых интегральных микросхем. В 2 частях. Часть 2. Элементы и маршруты изготовления кремниевых ИС и методы их математического моделирования. М. А. Королев, Т. Ю. Крупкина, М. Г. Путря, В. И. Шевяков

Технология, конструкции и методы моделирования кремниевых интегральных микросхем. В 2 частях. Часть 2. Элементы и маршруты изготовления кремниевых ИС и методы их математического моделирования. М. А. Королев, Т. Ю. Крупкина, М. Г. Путря, В. И. Шевяков

323 руб

Заказать

Дано представление об основных маршрутах изготовления и конструкциях изделий микроэлектроники на основе кремния. Рассмотрены основные процессы создания интегральных схем: химическая и плазмохимическая обработка материала; введение примесей в кремний; выращивание окисла кремния и его охлаждение; литография; создание металлических соединений и контактов. Приведены методы моделирования процессов распределения примесей в полупроводниковых структурах. Для студентов и аспирантов, специализирующихся в области микроэлектроники и полупроводниковых приборов. Может быть использовано также специалистами, работающими в данной области

Вес	526
Ширина упаковки	155
Высота упаковки	230
Глубина упаковки	20
Автор	Михаил Королев,Татьяна Крупкина,Михаил Путря,Василий Шевяков
Тип издания	Отдельное издание
Тип обложки	Твердый переплет
Тираж	1000
Редактор	Юрий Чаплыгин
Произведение	Технология конструкции и методы моделирования кремниевых интегральных микросхем. В 2 частях.